用于氣敏材料的多孔硅/氧化鎢納米線(xiàn)復合結構的制備方法

本發(fā)明公開(kāi)了一種用于氣敏材料的多孔硅/氧化鎢納米線(xiàn)復合結構的制備方法，首先采用p型單晶硅作為基底，利用雙槽電化學(xué)的方法在基底表面制備多孔硅層；再以金屬鎢作為耙材，利用磁控濺射的方法在多孔硅表面沉積金屬鎢薄膜；最后，在水平管式爐中，以氬氣作為工作氣體，氧氣作為反應氣體，600～750℃條件下，制得多孔硅/氧化鎢納米線(xiàn)復合結構的氣敏材料。本發(fā)明降低了制備氧化鎢納米線(xiàn)生長(cháng)溫度，顯著(zhù)提高了復合結構氣敏材料的比表面積，在150℃的條件下對2ppm?NO2的靈敏度為4.76，具有制備工藝簡(jiǎn)單，易于控制，成本低廉以及對NO2高靈敏度探測等優(yōu)點(diǎn)。