黃曲霉毒素B1金納米井陣列免疫電極的制備方法

本發(fā)明涉及一種黃曲霉毒素B1金納米井陣列免疫電極的制備方法，其采用化學(xué)沉積法在?？字睆綖?00?800nm的聚碳酸酯濾膜上沉積金，得到金納米管陣列主體，在?？字睆綖?0?200nm的聚碳酸酯濾膜上沉積金，得到金納米柱陣列底片，組裝制成金納米井陣列電極；在金納米管陣列電極表面滴加蛋白A溶液形成蛋白A/金納米井陣列電極；而后放入無(wú)標記AFB1抗體溶液中，制成AFB1抗體/蛋白A/金納米井陣列電極；進(jìn)而封閉得到AFB1免疫反應電極。本發(fā)明制作簡(jiǎn)單，具有三維結構，表面積大，有效避免不同材質(zhì)導致的電化學(xué)響應信號的干擾；抗體固定牢固有效，性能穩定可靠，可實(shí)現AFB1的靈敏快速測定。