本專(zhuān)利涉及NF/Ni3S2/C三維樹(shù)狀電極材料的制備方法,針對實(shí)施例1中的圖3產(chǎn)物形貌,所得的三維樹(shù)狀NF/Ni3S2/C結構可以促進(jìn)電解質(zhì)的滲透,降低離子和電子傳輸阻力,并為電化學(xué)反應提供大量的活性位點(diǎn),包覆的碳進(jìn)一步提高電極的電導率,而泡沫鎳基底則確保了高性能無(wú)粘結電極直接用于電荷存儲和轉換,使得核材料的電化學(xué)特性得到充分發(fā)揮,電化學(xué)測試結果表明,在電流密度為5 mA·cm?2時(shí),單電極比容量達到11.89 F·cm?2,當電流密度增大到25 mA·cm?2時(shí),比容量的保持率為84.6%。
聲明:
“碳修飾的三維樹(shù)狀Ni3S2電極材料用于超級電容器” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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