金納米陣列電極的制備方法

本發(fā)明涉及一種金納米陣列電極的制備方法,其以聚碳酸酯濾膜為模板,經(jīng)過(guò)對聚碳酸酯濾膜進(jìn)行化學(xué)鍍前處理、化學(xué)鍍、化學(xué)鍍后酸浸和清洗等處理,在前處理、酸浸和清洗各步操作中均輔以超聲波處理,化學(xué)鍍金后采用稀氰化鈉浸潤的脫脂棉輕擦濾膜的表面,再用甲醇清洗,利用機械作用和化學(xué)作用相結合的辦法,有效去除一表面的金膜,形成金納米陣列,將上述濾膜粘貼在集電體上,組裝成金納米陣列電極。掃描電子顯微鏡測得陣列中單個(gè)金納米圓盤(pán)直徑為10～100納米,能量色散X射線(xiàn)光譜測試該陣列組成為純金。循環(huán)伏安法對電極進(jìn)行表征,該電極具有高傳質(zhì)速率、低雙電層充電電流、能有效提高信噪比和檢測極限等優(yōu)點(diǎn)。本發(fā)明方法設計巧妙、操作簡(jiǎn)單,重現性好。