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晶體硅體少子壽命的測試方法

726   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
2023-03-19 07:27:45
本發明提供了一種晶體硅體少子壽命的測試方法,包括以下步驟:S100:去除待測晶體硅表面的污垢和氧化層;將去除表面污垢和氧化層的待測晶體硅置于化學腐蝕液中浸泡30s~10min;將所述經化學腐蝕液浸泡后的待測晶體硅進行光照處理和/或熱處理;S200:對所述經過步驟S100處理的待測晶體硅進行厚度測量和表觀少子壽命測試;S300:將步驟S200得到的厚度和表觀少子壽命代入公式中,得到晶體硅的體少子壽命:其中,τeff代表表觀少子壽命;τbulk代表體少子壽命;Dn代表少子擴散系數;W代表待測晶體硅的厚度。利用本發明的方法大大提高了測試結果的準確度,能夠準確反映待測晶體硅的質量,且該方法重復性好,具有很高的實際應用價值。
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