6月3日訊，有投資者向兆馳股份在互動(dòng)平臺表示，在光通訊領(lǐng)域，公司已形成“光芯片-光器件-光模塊”垂直產(chǎn)業(yè)鏈布局，未來(lái)將重點(diǎn)推進(jìn)半導體激光芯片及光通信器件、模塊的發(fā)展。此外，公司未來(lái)戰略核心是全面進(jìn)軍化合物半導體產(chǎn)業(yè)鏈，基于光技術(shù)可延伸性，公司將開(kāi)拓磷化銦、碳化硅等領(lǐng)域，構建以光技術(shù)為核心的產(chǎn)業(yè)集群，開(kāi)拓新化合物產(chǎn)業(yè)鏈，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)升級與長(cháng)遠發(fā)展，以實(shí)現更多盈利增長(cháng)點(diǎn)。

長(cháng)飛先進(jìn)武漢基地項目總投資高達200億元，占地面積達498畝，其中一期占地344畝。該項目達產(chǎn)后，將具備年產(chǎn)36萬(wàn)片外延、36萬(wàn)片6寸碳化硅晶圓以及6100萬(wàn)個(gè)碳化硅功率模塊的強大制造能力，滿(mǎn)產(chǎn)后甚至可滿(mǎn)足144萬(wàn)臺新能源汽車(chē)對高端芯片的需求。

轉讓青海省茫崖行委采石溝地區金礦，礦區位于青海省與新疆維吾爾自治區接壤的阿爾金山脈東段，隸屬青海省茫崖行委管轄。礦區面積8.75平方公里。2016年3月通過(guò)了詳查評審。據《儲量評審意見(jiàn)書(shū)》，礦區共劃分3個(gè)礦帶，即I、Ⅲ、IV礦帶，共圈定礦體34條，均呈脈狀產(chǎn)出。主礦體6條，長(cháng)度109-287.5m不等，平均厚度1.23-3.13m。礦石礦物為自然金等，脈石礦物為石英等，礦石結構主要為粒狀結構、包含結構、碎屑結構和糜棱結構，礦石構造主要有角礫狀構造、網(wǎng)脈狀構造。礦床成因類(lèi)型為構造蝕變巖型。

1.研究背景；2.稻殼為原料可控合成不同形貌的SiC晶須；3.合成的SiC晶須對MgO–C耐火材料結構和性能的影響；4.結論

本發(fā)明涉及燒結加工技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種碳化硅產(chǎn)品燒結爐自動(dòng)化出料裝置。包括燒結爐，燒結爐內部安裝有承托臺，承托臺上端設置有用于放置碳化硅產(chǎn)品的倒T形托盤(pán)，燒結爐右側設置有移動(dòng)小車(chē)，所述移動(dòng)小車(chē)上端設置有出料單元。本發(fā)明中的固定組件整體形成多個(gè)三角形結構，穩定性高，且固定組件能夠移動(dòng)至燒結爐內對完成燒結后的碳化硅產(chǎn)品實(shí)施前后抵緊限位，并且還可借助壓板壓制在碳化硅產(chǎn)品上端，確保碳化硅產(chǎn)品穩定的置于倒T形托盤(pán)上端，從而增加碳化硅產(chǎn)品與倒T形托盤(pán)之間的相對穩定性

本發(fā)明公開(kāi)了一種航空發(fā)動(dòng)機碳化硅陶瓷基復合材料零件貼補修復方法，包括：使用CMC?SiC補片作為貼補修復零件裂紋、腐蝕坑或纖維裂的結構，用脈沖激光在CMC?SiC補片與零件的接觸面上制備表面紋理，將釬料涂在CMC?SiC補片與零件接觸面上，將CMC?SiC補片與零件表面壓緊，經(jīng)過(guò)真空釬焊、打磨、清洗烘干、環(huán)境障涂層恢復、退火后完成航空發(fā)動(dòng)機碳化硅陶瓷基復合材料零件的貼補修復。本發(fā)明采用貼補技術(shù)，重建裂紋、腐蝕坑或纖維斷裂處的傳力路徑，恢復零件強度

本發(fā)明屬于無(wú)機非金屬材料技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了一種多孔前驅體微波合成碳化硅晶須的方法，將硅源和碳源通過(guò)機械攪拌混合，碳硅摩爾比為（3~25）：1，采用一定的成型工藝和造孔工藝得到多孔前驅體；將多孔前驅體用石英粉包裹置于微波燒結爐中進(jìn)行燒結，將試樣在900?1350℃保溫15?25min，制得三維立體狀碳化硅晶須。本發(fā)明硅源和碳源以多孔前驅體的形式混合成型后進(jìn)行微波加熱，在微波加熱過(guò)程中，激發(fā)的微波等離子體以三維立體多向的形式進(jìn)入氣孔內部，在埋粉的作用下孔內部氣體迅速積累

目前通過(guò)碳化硅廢渣冶煉富錳渣;是將碳化硅廢渣、焦炭及錳礦石按預定比例加入高爐中，在≥1600℃的高溫下，進(jìn)行選擇性還原反應。傳統的工藝是通過(guò)混合攪拌，實(shí)現有效的混合;但是這樣的方式;由于碳化硅廢渣錳礦石由于質(zhì)量不同，會(huì )導致分層效應;使得物料不集中，進(jìn)而使得在冶煉后富錳渣的質(zhì)量不穩定;因此，為了解決這一難題，我們提出一種利用碳化硅廢渣冶煉富錳渣的混合攪拌裝置。

研發(fā)碳化硅表面改性技術(shù)，降低碳化硅微粉破碎應力，改進(jìn)雷蒙磨粉磨工藝，保證碳化硅高純度條件下，實(shí)現不同球形度碳化硅微粉的制備；改進(jìn)氣流分級工藝，獲得粒度為4.5-3.0μm的碳化硅顆粒，通過(guò)磁選、酸洗等工藝優(yōu)化，使SiC 含量超過(guò)99.1%，游離碳、三氧化二鐵含量均小于0.1%，球形度小于0.867，掌握高性能低球形度碳化硅微粉制備關(guān)鍵技術(shù)。

1.LPBF 顆粒增強（TiC、WC和SiC）增強鐵基復合材料的工作已經(jīng)取得一定進(jìn)展，主要圍繞微觀(guān)結構和機械性能變化。 2.除了增強相含量和尺寸以外，LPBF復合材料自身缺陷（孔隙和裂紋）同樣影響材料的性能。 3.已經(jīng)成功利用球形WC/W2C生產(chǎn)出高強LPBF復合材料，并測試了摩擦磨損、壓縮強度、壓縮率、腐蝕性能。 4.奧氏體相、析出相、增強顆粒的協(xié)同作用提升了LPBF 420 + WC/W2C MMCs的各方面性能。

裴文利，東北大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院教授 / 博士生導師，九三學(xué)社社員，日本國立秋田大學(xué)客座教授，遼寧省應用磁學(xué)會(huì )副秘書(shū)長(cháng)，英國皇家化學(xué)學(xué)會(huì ) reviewer panel member。長(cháng)期從事高性能磁性材料和低維納米材料的研究。已發(fā)表 SCI 收錄 120多篇。獲得授權發(fā)明專(zhuān)利 29 項。主持自然科學(xué)基金面上項目 4 項、參與 5 項，主持國家重點(diǎn)專(zhuān)項子課題和云南省重大項目子課題各 1 項、吉林省重大科技項目 1 項，教育部課題 2 項。

如何能讓碳化硅超細微粉的沉降速度加快；如何讓硅微粉的PH值控制在所需區間而不會(huì )有大的波動(dòng)。

1. 研究背景及意義； 2. 自支撐結構設計研究進(jìn)展； 3. 未來(lái)的發(fā)展方向； 4. 團隊相關(guān)研究；

孟憲明，教授級高工，主攻先進(jìn)工藝與材料方向，集團中央研究院副院長(cháng)，集團首席專(zhuān)家。全國標準化委員會(huì )委員、國家科技項目評審專(zhuān)家、中國汽車(chē)工程學(xué)會(huì )車(chē)身副秘書(shū)長(cháng)。主持或承擔國家科技重點(diǎn)專(zhuān)項、國際合作等課題 10 余項，牽頭獲省部一等獎 4 項，二等獎 10 項，出版專(zhuān)著(zhù) 4 部，SCI 論文 36 篇，“十三五”中國機械工業(yè)科技創(chuàng )新領(lǐng)軍人才等稱(chēng)號。

碳粉和碳化硅微粉分離技術(shù)共同研發(fā)，加快碳化硅微粉的沉降速度尤其是200#的產(chǎn)品。

一、研究背景； 二、顆粒-氣泡脫附過(guò)程研究； 三、靜水環(huán)境 DEM模擬； 四、湍流環(huán)境 CFD-DEM模擬

梁昱巍，石河子大學(xué)化學(xué)化工學(xué)院，工學(xué)博士。主要從事無(wú)機納米復合材料的設計、合成及其在能源催化領(lǐng)域的應用研究，包括光催化分解水析氫、苯甲醛的氧化和 5- 羥甲基糠醛光催化轉化等工作。在《ACS Applied Nano Materials》、《Applied Catalysis B: Environmental》以及《Journal of Materials Science & Technology》等雜志發(fā)表文章。