陣列式PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)是一種高效、大面積的化學(xué)氣相沉積設備,通過(guò)等離子體激活反應氣體,在低溫下實(shí)現高質(zhì)量薄膜的快速沉積。
高真空雙室多功能鍍膜設備是一種集成了多種PVD(物理氣相沉積)技術(shù)的先進(jìn)鍍膜系統,通過(guò)雙腔室設計實(shí)現高效率、無(wú)污染、多工藝組合的薄膜制備。
單室熱蒸發(fā)鍍膜設備是一種采用物理氣相沉積(PVD)技術(shù)的薄膜制備設備,主要通過(guò)電阻加熱方式使鍍膜材料蒸發(fā)并在基片表面沉積成膜。
雙室熱蒸發(fā)鍍膜設備是一種采用物理氣相沉積(PVD)技術(shù)的精密鍍膜系統,通過(guò)獨立雙腔室設計實(shí)現高效連續的薄膜制備。該設備主要應用于光學(xué)薄膜、電子器件、功能涂層等領(lǐng)域。
電阻式蒸發(fā)鍍膜設備是一種利用電阻加熱原理使鍍膜材料蒸發(fā),并在真空環(huán)境中沉積到基片表面形成薄膜的物理氣相沉積(PVD)設備。
水霧化制粉方法是近幾年來(lái)在粉末冶金行業(yè)中發(fā)展起來(lái)的一種新興工藝。它具有工藝簡(jiǎn)單、技術(shù)容易掌握、材料不容易氧化、自動(dòng)化程度較高等優(yōu)點(diǎn)。具體工藝是合金(金屬)在感應爐中熔化、精煉后,熔化的金屬液體倒入保溫坩堝中,并進(jìn)入導流管和噴嘴,此時(shí)熔體流被高壓液體流(或氣體流)所霧化,霧化后的金屬粉末在霧化塔中進(jìn)行凝固、沉降、最后落入收粉罐中收集分離。廣泛應用于霧化鐵粉、銅粉、不銹鋼粉、合金粉等有色金屬制粉領(lǐng)域。成套鐵粉設備、銅粉設備、銀粉設備、合金粉設備的制造技術(shù)日臻成熟。
真空氫化脫氫一體化設備主要用于鉿、鋯、鈦及其合金或稀土等吸氫材料的氫化及脫氫一體化處理。
設備用途:主要用于在硅片(或玻璃片)表面制備金屬薄膜(A I 、Ag 、Ni 、Cu、Ti 、Pd等),及有機薄膜,并能升級實(shí)現反應濺射。模塊式設計,可根據實(shí)際需求和功能,組合成型。
沈陽(yáng)好智多新材料制備技術(shù)有限公司的小液滴噴射制備系統主要用于在高真空或超純氣氛保護下,制備低熔點(diǎn)和高熔點(diǎn)材料的均勻微球,還能通過(guò)預留的拓展接口增加沉積模塊,用于增材制造的模擬和探究。該系統具備廣泛的熔融溫度范圍(室溫至1200℃),配備進(jìn)口紅外測溫儀及熱偶,極限真空度可達7×10?3Pa,可通入氬氣并用質(zhì)量流量計精準控制流量。
「設備用途」沈陽(yáng)好智多新材料制備技術(shù)有限公司水冷銅坩堝感應熔煉定向凝固提純設備,采用物理冶金提純法,主要用于冶金級工業(yè)硅粉的提純,用以制備太陽(yáng)能級多晶硅原材料。
「設備用途」采用物理冶金提純法,主要用于冶金級工業(yè)硅粉的提純,用以制備太陽(yáng)能級多晶硅原材料。產(chǎn)品型號VEBZ-2,主真空室臥式圓筒型真空室,尺寸φ1000×2000mm,雙層水冷。主真空室真空獲得系統擴散泵,羅茨泵,機械泵,高真空氣動(dòng)擋板閥。
沈陽(yáng)好智多新材料制備技術(shù)有限公司的超聲激振技術(shù)系列應用設備,主要用于金屬制備過(guò)程中的多種處理。它通過(guò)真空感應熔煉金屬,在金屬凝固前或凝固過(guò)程中,對金屬熔體施加高強度超聲激振,能夠實(shí)現粉末材料與母合金液的均勻化分散,還能控制金屬凝固組織和性能,比如細化晶粒等。
金屬溶滲工藝是在金屬的融化溫度以上,將多孔制件與熔融的液體金屬相接觸或滲入液體金屬內,利用毛細管作用,使液相金屬充填到預制件的孔隙內,形成致密的兩相或多相復合材料。本設備具體是將鎢絲密排于石英管內,將融化后的合金液(非晶合金)澆注壓力熔滲入鎢絲之間的孔隙內,經(jīng)保溫后將石英管(內置鎢絲及合金液)快速淬入鎵銦錫合金液內(或者鹽水),達到快速凝固作用,制成復合材料零件。
產(chǎn)品應用:利用等離子弧加熱熔化放置于水冷銅坩堝內的高熔點(diǎn)金屬或陶瓷,通過(guò)設置于水冷銅坩堝外的高頻感應線(xiàn)圈進(jìn)一步熔化攪拌合金液,在通過(guò)連續下拉機構完成鑄錠;熔鑄過(guò)程中可以連續加料。用于多晶硅、鈦合金、活性金屬以及高熔點(diǎn)陶瓷材料的高溫提純和凈化及鑄錠。
沈陽(yáng)好智多新材料制備技術(shù)有限公司的電子束冷床熔煉鑄錠爐,主要用于多晶硅、鈦合金等活性金屬和高熔點(diǎn)金屬的高真空熔煉提純、凈化及鑄錠。該設備具備出色的真空性能,極限真空度可達6.67×10??Pa,壓升率不超過(guò)0.67Pa/H。電子槍額定功率為100KW,加速電壓35KV,加速電流7A,電子槍室真空度在10??~10?3Pa之間。電子束距離長(cháng)度為400~800mm,功率密度大于2.5×10?W/cm2。
ISM 熔煉過(guò)程是在一種由水冷片或稱(chēng)之為“手指型結構”組成的水冷銅質(zhì)坩堝內,并在真空或者保護氣氛環(huán)境下進(jìn)行的生產(chǎn)過(guò)程。整個(gè)結構沒(méi)有采用任何耐火材料爐襯從而杜絕了金屬/坩堝之間的反應。這樣也就消除了金屬陶瓷夾雜污染的可能性,生產(chǎn)出超純凈、高品質(zhì)的產(chǎn)品。普遍應用于鈦、鋯等材料的熔煉提純與離心鑄造。
設備用途:設計專(zhuān)門(mén)用于熔融樣品,適合實(shí)驗室、工廠(chǎng)用于材料研究、開(kāi)發(fā)、質(zhì)量控制等。氣體保護環(huán)境下熔融、合金化反應性和高熔點(diǎn)金屬材料。適合稀土金屬元素及合金的熔融。
LOCA作為反應堆運行過(guò)程中比較嚴重的事故,是反應堆基準設計事故,而作為確保裂變產(chǎn)物不泄漏的第一道屏障,鋯合金優(yōu)異的性能對于保證LOCA-nAT的核安全具有重要意義,本設備用于模擬LOCA工況下鋯合金的高溫氧化行為,抗熱沖擊性能和力學(xué)性能及顯微組織等方面的內容,為反應堆用鋯合金的研發(fā)提供了技術(shù)支持。
產(chǎn)品應用:設備是集合金熔煉、澆注、模殼雙區保溫、定向凝固為一體的單晶高溫合金定向凝固設備。在凝固過(guò)程中獲得高的溫度梯度,穩定的晶體生長(cháng)條件,該設備以實(shí)驗研究為主,兼顧小規模工業(yè)示范研究;采用的單晶制備技術(shù):①籽晶法 ②選晶法。
LOCA作為反應堆運行過(guò)程中比較嚴重的事故,是反應堆基準設計事故,而作為確保裂變產(chǎn)物不泄漏的第一道屏障,鋯合金優(yōu)異的性能對于保證LOCA-nAT的核安全具有重要意義,本設備用于模擬LOCA工況下鋯合金的高溫氧化行為,抗熱沖擊性能和力學(xué)性能及顯微組織等方面的內容,為反應堆用鋯合金的研發(fā)提供了技術(shù)支持。
產(chǎn)品應用:在真空或惰性氣體保護環(huán)境下,金屬材料(鋁合金等)加熱熔化后,通過(guò)黏度測試儀對高溫熔化材料的粘度指標進(jìn)行測試的設備,用于材料高溫粘度測試研究。
沈陽(yáng)好智多新材料制備技術(shù)有限公司的小型高壓氣淬爐主要用于金屬材料的多種熱處理工藝。它能在真空或惰性氣體保護環(huán)境下,對高溫合金、鈦合金、工模具鋼等材料進(jìn)行高壓氣體淬火、光亮退火、固溶時(shí)效和回火等操作。該設備最大裝料量為20KG(含料盤(pán)夾具),采用鉬帶電阻加熱方式,均溫區尺寸為200mm×200mm×300mm。
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