遼寧有色金屬新能源材料設備

水冷銅坩堝感應熔煉定向凝固提純設備 593     

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「設備用途」沈陽好智多新材料制備技術有限公司水冷銅坩堝感應熔煉定向凝固提純設備，采用物理冶金提純法，主要用于冶金級工業硅粉的提純，用以制備太陽能級多晶硅原材料。

電子束物理法提純設備 657     

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「設備用途」采用物理冶金提純法，主要用于冶金級工業硅粉的提純，用以制備太陽能級多晶硅原材料。產品型號VEBZ-2，主真空室臥式圓筒型真空室，尺寸φ1000×2000mm，雙層水冷。主真空室真空獲得系統擴散泵，羅茨泵，機械泵，高真空氣動擋板閥。

真空自耗電極電弧熔煉爐 513     

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真空自耗電極電弧熔煉爐設備用途：采用壓制或感應爐熔煉的原料錠棒為電極，在真空或保護氣氛下通過電弧高溫熔煉或重熔該電極原料的真空冶金精煉設備

LMBE\MBE分子束外延系統 470     

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分子束外延是一種新的晶體生長技術，簡記為MBE。其方法是將半導體襯底放置在超高真空腔體中，和將需要生長的單晶物質按元素的不同分別放在噴射爐中（也在腔體內）。由分別加熱到相應溫度的各元素噴射出的分子流能在上述襯底上生長出極薄的（可薄至單原子層水平）單晶體和幾種物質交替的超晶格結構。分子束外延主要研究的是不同結構或不同材料的晶體和超晶格的生長。該法生長溫度低，能嚴格控制外延層的層厚組分和摻雜濃度。

納米材料制備設備 620     

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電弧放電法制備納米材料。改進設計后增加配置可用于制備石墨烯材料研究。

納米材料制備設備(石墨烯制備設備) 572     

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電弧放電法制備納米材料。改進設計后增加配置可用于制備石墨烯材料研究。