堆疊導電柱互聯(lián)結構及其制備方法

本發(fā)明提供一種堆疊導電柱互聯(lián)結構及其制備方法，堆疊導電柱互聯(lián)結構包括：依次垂直層疊的第一介質(zhì)層至第N介質(zhì)層；N為大于或等于2的整數；任意的第n介質(zhì)層中具有第n通槽；垂直堆疊且依次鄰接的第一導電柱至第N導電柱；任意的第n導電柱位于第n通槽中，任意的第n導電柱包括：位于第n通槽的內壁表面的第n應力阻擋層以及位于第n應力阻擋層上的第n導電本體；n為大于或等于1且小于或等于N的整數；任意的第k導電本體和第k+1應力阻擋層接觸，k為大于或等于1且小于或等于N?1的整數。所述堆疊導電柱互聯(lián)結構避免可靠性測試失效且提高了使用壽命。