分柵式閃存器件制造方法

本發(fā)明提供一種分柵式閃存器件制造方法，在所述浮柵氮化硅層的溝槽以及所述浮柵氮化硅層表面沉積一定厚度的源線(xiàn)多晶硅層后，對所述源線(xiàn)多晶硅層的頂部平坦化工藝或者回刻蝕工藝進(jìn)行終點(diǎn)監測，以獲得所述源線(xiàn)多晶硅層的在所述溝槽頂部的寬度或者所述第一側墻的損耗高度，并在去除浮柵氮化硅以后，根據所述監測的結果，對暴露出的第一側墻的側壁進(jìn)行相應的側向回刻蝕，以暴露出合適區域的浮柵多晶硅層，從而保證后續刻蝕暴露出的浮柵多晶硅層后，能夠獲得具有合適的高度和頂角角度的浮柵尖端，最終可以避免分柵式閃存器件的數據擦除失效和編程失效問(wèn)題。