本發明涉及電離輻射劑量測量領域,公開了一種對基于絕緣體上硅的雙探頭PMOS輻射劑量計進行退火方法,該方法將經輻照后失效的所述基于絕緣體上硅的雙探頭PMOS輻射劑量計的正柵電極、背柵電極、源電極以及漏電極接至地線,置于95至105℃環境溫度范圍下退火230至310小時;之后將環境溫度升溫至145至155℃范圍繼續退火80~120小時;然后將所述基于絕緣體上硅的雙探頭PMOS輻射劑量計取出置于20至25℃環境溫度下測試,與該PMOS輻射劑量計未輻照前數據比對校準。
聲明:
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