本發明提供的一種光刻方法,包括:提供測試晶圓;使用設計掩模版對所述測試晶圓進行光刻工藝,在測試晶圓表面形成光刻膠圖形;檢測所述光刻膠圖形,查找發生圖形坍塌的區域;根據所述光刻膠圖形的坍塌區域,制作修正掩模版,所述修正掩模版具有開口,所述開口與所述圖形坍塌區域相對應;提供產品晶圓;分別使用所述修正掩模版以及設計掩模版對產品晶圓進行曝光,在產品晶圓表面形成光刻膠圖形。本發明通過對已發生圖形坍塌的光刻膠區域進行二次曝光,使得該區域光刻膠的圖形失效,從而避免了光刻膠缺陷的擴散。
聲明:
“光刻方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)