本發明公開了一種用于顯現MOS器件的AA結構缺陷的腐蝕方法,包括以下步驟:第一步,將樣品倒置,放入質量百分比為49%的氫氟酸中浸泡2.5±0.5分鐘;在浸泡的同時,每30秒用去離子水沖洗之后,再用氮氣槍吹一下樣品表面;第二步,如N型MOS管失效,將樣品在第一混酸中浸泡5~8秒;如P型MOS管失效,將樣品在第二混酸中浸泡30~35秒;第三步,確認腐蝕結果,找出具體的失效模式。本發明針對不同的MOS管,使用不同的混酸來有效、清楚地顯現AA結構上的缺陷,能夠提高失效分析結果的準確性。
聲明:
“用于顯現MOS器件的AA結構缺陷的腐蝕方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)