一種晶圓可接受性測試之擊穿電壓測試裝置,包括放電模塊,測試漏電模塊,以及用于所述半導體器件在漏電測試模塊判定為不短路后進行擊穿電壓測試的斜坡電壓測試平臺、返回型測試平臺,以及綜合型測試平臺,其中,所述綜合型測試平臺通過標志模塊的選擇,將斜坡電壓測試平臺和返回型測試平臺結合,并建立AIg程式進行測試,同時觀測斜坡電壓測試平臺和返回型測試平臺中的數據。本發明所述擊穿電壓測試結合所述斜坡電壓測試和所述返回型測試,同時進行測量,并修改精度和Ibd設定,可準確的判斷AIg程式設置的正確性,減少調試時間。同時觀測多組數據,使得擊穿電壓測試結果更具可信性,減少重新測試的必要性,并可直接觀測到數據的可靠性與簡單結構的失效特點。
聲明:
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我是此專利(論文)的發明人(作者)