本發明提供了一種晶圓缺陷的監控方法,應用于半導體領域中。其首先根據每種半導體工藝的不同特點建立與不同半導體工藝相對應的可能出現在晶圓上的缺陷特征,且該缺陷特征所需執行的加掃規則的對應關系的數據庫,之后,當不同批次lot晶圓在原始缺陷掃描中出現缺陷時,就可以通過該缺陷自動啟動本發明提供的缺陷加掃機制,已對存在缺陷的批次lot晶圓進行加掃缺陷掃描,而無需像現有技術那樣在發現了不同批次lot晶圓在初始缺陷掃描中出現缺陷問題后,需要人工手動Run card進站進行缺陷監控,進而避免了現有技術中人為因素多、監控效率較低、以及存在一定監控失效概率的問題,也就實現了提高晶圓的監控效率的目的。
聲明:
“晶圓缺陷的檢測方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)