本發明公開了一種檢測晶格位錯的方法,包含如下步驟:選取失效器件進行電學測試,多次掃描測量其電壓-電流曲線,觀察多次掃描得到的電壓-電流曲線有無逐漸變大或變小的情況;對失效器件進行烘烤,重新多次測量其電壓-電流曲線,觀察有無逐漸變大或變小的情況;對于確定電壓-電流曲線發生變化的器件,進行微光顯微鏡定位,進一步縮小位錯的范圍;將器件進行研磨,用聚焦離子束進行切割,物理解析制樣形成透射電子顯微鏡樣品;采用常規透射電子顯微鏡觀察方式進行位錯觀察,獲得位錯像。上述方法通過電學分析到物理分析的流程,分析位錯并找出位錯的位置,提高集成電路器件失效分析的效率,降低成本。
聲明:
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