本發明提供了一種缺陷樣品的制備方法及互連結構缺陷的失效分析方法,所述缺陷樣品的制備方法包括:提供一具有待分析缺陷的半導體結構;在互連結構中形成一標記,標記與待分析缺陷間隔設置;研磨互連結構獲得缺陷樣品,其中,標記周圍的互連結構在研磨過程中沿標記的側壁出現分層狀況,并通過光學顯微鏡觀察根據分層狀況判斷互連結構的剩余層數以實現研磨過程的定位。本發明中,通過在待分析缺陷周圍形成標記,且標記的側壁暴露互連結構,利用研磨過程中對標記的側壁的研磨程度的差異使得標記附近的互連結構出現分層狀況,通過該分層狀況以對該研磨過程實現準確定位,從而實現簡便且高效的制備缺陷樣品。
聲明:
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