本發明公開了一種基于絕緣層上硅的電荷耦合器件,包括背柵極、襯底、埋層氧化層、漏極區、源極區、頂層硅溝道區、漏極金屬接觸、源極金屬接觸、正柵極氧化層和正柵極。入射光照射到器件表面時被襯底吸收,產生的少數載流子積累到由脈沖背柵形成的深耗盡勢阱中,頂層薄硅耦合出與勢阱中少子對應的電荷,正柵極施加電壓放大光響應信號,從而有效收集載流子,實現隨機、無損和高速讀出;本發明可有效擴寬傳統電荷耦合器件的光譜響應范圍,同時改變了傳統電荷耦合器件的讀出方式,產生的信號直接由單個像素結構輸出,且通過在正柵極施加電壓對電荷積累起到增益的作用,放大器件的光響應信號,提高探測的響應速度和可靠性。
聲明:
“基于絕緣層上硅的電荷耦合器件” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)