基于GaNHEMT器件的自激驅動(dòng)與功率變換電路

本發(fā)明公開(kāi)了一種基于GaN HEMT器件的自激驅動(dòng)與功率變換電路。該電路采用了新型的GaN基HEMT器件，提高電路工作頻率至MHz。器件采用了硅襯底，并采用了Q1和Q2雙晶體管片上設計，兩個(gè)晶體管共用一個(gè)晶圓，減小體積、降低成本、提升可靠性控制。器件還采用了集成式反向并聯(lián)二極管結構，提升器件的反向導通特性。電路通過(guò)功率電路主變壓器中的第三輔助繞組Na，采用正反饋模式的自激驅動(dòng)腔自動(dòng)為Q1提供驅動(dòng)信號，無(wú)須控制芯片，Q1的驅動(dòng)需要通過(guò)針對GaN HEMT器件特殊的驅動(dòng)緩沖電路來(lái)保證其可靠驅動(dòng)。電路進(jìn)一步采用了集成式的高頻電流逐周期檢測方案，與自激驅動(dòng)腔共用一個(gè)線(xiàn)圈，省去了電流檢測電阻，實(shí)現了無(wú)損耗電流檢測。