本發明涉及一種金和鐵摻雜的負溫度系數單晶硅熱敏電阻,該熱敏電阻以金和鐵的金屬鹽作為擴散源,采用開管涂源式高溫氣相擴散的方法,將金和鐵兩種雜質擴散進N型單晶硅中,利用金和鐵在硅中形成補償能級的特性制備出單晶硅熱敏材料,再通過化學鍍鎳電極、劃片、封裝制備成高B值單晶硅負溫度系數熱敏電阻。將得到的熱敏電阻進行電學性能測試,其電學參數R25℃=84KΩ-129KΩ,B25℃/50℃=6240K-6680K。
聲明:
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