本發明提供了一種四氧化三鈷@硫鈷酸鎳核殼納米花陣列、制備方法及其應用。本發明使用泡沫鎳作為基底合成四氧化三鈷納米花前驅體和四氧化三鈷@硫鈷酸鎳核殼納米花陣列。該結構導電性好、滲透性高的特點,將其應用于超級電容器中,對其進行了循環伏安法、靜態充放電等測試。與現有技術相比,本發明在合成方法上具有重現性高、產物純度高、耗能低、成本低等優勢。所合成的材料具備導電性好,化學性質穩定,結晶性好等優點。在超級電容器應用方面,該材料與傳統材料相比,比率性能更優、循環壽命更長、能量密度和功率密度更高。
聲明:
“四氧化三鈷@硫鈷酸鎳核殼納米花陣列、制備方法及其應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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