本發明涉及一種ZnSe納米線及其制備方法和應用,該ZnSe納米線沿< 100> 晶向生長,具有閃鋅礦結構,其平均直徑為20?80nm,長度為0.5?10μm,尺寸均勻,結晶度良好,無堆垛層錯等結構缺陷。本發明通過將ZnSe粉末作為反應前驅物,以金作為催化劑,利用化學氣相沉積法在FTO導電玻璃或SnO2單晶基片襯底上生長得到ZnSe納米線。該納米線可用于構建太陽能電池、光電探測器、納米激光器等光電子器件,尤其在太陽能光電催化分解水制氫方面表現優異,具有良好的應用前景。
聲明:
“ZnSe納米線及其制備方法和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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