本發明公開了一種碳化硅單晶薄膜的制備方法,工藝流程主要包括:樣品清洗、晶圓鍵合、原始厚度測量、碳化硅減薄、厚度監測、二次厚度測量、化學機械拋光、樣品清洗、薄膜表征等工藝。通過該方法可以獲得表面平坦的微米級厚度的碳化硅單晶薄膜,同時也避免了另一種常見的薄膜制備方法smart?cut工藝過程中需要注入高劑量的氫離子從而增加缺陷的影響。所制備的碳化硅單晶薄膜是硅襯底上的異質材料,用戶可以很方便地將其從襯底上分離出來,也可以選擇性地保留薄膜的部分襯底,方便后續的使用。通過該方法原則上也可以由塊狀樣品獲得暫時還難于異質外延生長或者難于沿特定晶向異質外延生長的碳化硅薄膜材料以及其它薄膜材料。
聲明:
“碳化硅單晶薄膜的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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