本申請公開了一種銦鎵氮鉍材料和使用該材料的激光器和探測器及制備方法,涉及半導體材料。銦鎵氮鉍材料包括襯底層、緩沖層和銦鎵氮鉍材料。銦鎵氮鉍材料是將銦原子和鉍原子同時摻入GaN合金中形成的,能夠調節母體晶格常數以及電子性質,從而提高其發光效率。本申請通過調節摻入的銦原子和鉍原子的濃度,有效調節GaN材料的禁帶寬度,實現從可見光到近紅外波段的覆蓋,以應用于光電子器件。采用銦原子及鉍原子的共摻雜可使材料更易生長并更加穩定。本申請可采用常規分子束外延、金屬有機物化學氣相沉積等多種方法進行生長,結構和操作工藝簡單,易于控制。
聲明:
“銦鎵氮鉍材料和使用該材料的激光器和探測器及制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)