本發明提供一種測量硅片擴散長度的表面處理方法,包括如下步驟,將原生硅片在酸液中漂洗,漂洗后用去離子水清洗,去除殘留漂洗液后烘干,再利用等離子體氣相化學沉積法在硅片表面沉積氮化硅薄膜,將沉積了氮化硅薄膜的硅片放入燒結爐燒結,最后將燒結完的硅片冷卻至室溫后放入SemiLab?PV2000測試設備的樣品臺測試,結果SPV8、SPV6信號均明顯增強,線性比LR顯著增大,完全達到測試設備要求。
聲明:
“測量硅片擴散長度的表面處理方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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