本發明提供了一種光電探測器及其制作方法,該光電探測器的制作方法包括:在襯底上依次生長第一半導體接觸層和介質層;去除部分介質層,形成沿靠近第一半導體接觸層方向延展的開孔,以限定外延層的生長區域,其中,開孔貫穿介質層;根據外延層的生長區域,采用沉積的方式在第一半導體接觸層上選擇性生長臺型形狀的外延層;去除第一半導體接觸層上剩余的介質層,并在襯底上形成接觸金屬層。該光電探測器可以解決干法刻蝕造成物理缺陷和反應離子污染的問題以及化學濕法腐蝕工藝造成的一致性差的問題。該光電探測器的制作方法制作工藝簡單,由該制作方法制作的光電探測器具有臺型結構,且一致性好,可靠性高。
聲明:
“光電探測器及其制作方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)