本發明屬于可見光探測器的技術領域,公開了一種Mg摻雜增強過渡金屬硫化物基可見光探測器及其制備方法。所述可見光探測器包括從下至上依次設置的Si襯底層、InGaN層、Mg摻雜的過渡金屬硫化物層和電極層。Mg摻雜的過渡金屬硫化物層部分覆蓋InGaN層。本發明還公開了可見光探測器的制備方法。本發明在InGaN表面部分沉積Mg金屬層,利用化學氣相沉積制備Mg摻雜TMDs層,引入大量的受主能級,實現了TMDs的p型摻雜,調控了載流子濃度。調控后的載流子優化了材料與電極間勢壘高度,降低了暗電流,增強了整流比,提升了器件的響應速度,對于實現高性能、高靈敏的可見光通信用光電探測器具有重要意義。
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