本發明公開了與硅光波導集成的石墨烯異質結光探測器的制備方法,步驟為:1)對SOI襯底的頂層硅進行電子束光刻和刻蝕,在其上表面形成硅光波導;2)采用等離子增強化學氣相沉積(PECVD)方法在SOI襯底和硅光波導上覆蓋一層二氧化硅層;3)采用PECVD方法,在二氧化硅層之上生長一層或數層石墨烯層,同時可以通過化學摻雜的方法,改變所述石墨烯層的光電特性;4)采用PECVD方法或機械剝離的方法,在石墨烯層上制備一層二硫化鉬層;5)采用電子束蒸發或磁控濺射的方法分別在石墨烯層和二硫化鉬層上淀積一層電極層。本發明中的器件結構可以實現與硅集成的快速、寬帶光信號探測,具有低成本、高集成度的特點,有望應用于集成化的寬帶光傳輸系統。
聲明:
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