單片晶圓測試多臺設備的方法

本發(fā)明公開(kāi)了一種單片晶圓測試多臺設備的方法，包括以下步驟：應力測試儀對裸硅晶圓進(jìn)行應力前置測試，獲取前置應力值；將裸硅晶圓置入化學(xué)氣相沉積設備中，對應力測試后的裸硅晶圓沉積氮化硅，膜厚測試儀對沉積氮化硅的硅晶圓進(jìn)行膜厚和折射率測試，獲取氮化硅膜厚和折射率作為化學(xué)氣相沉積設備測機參數，以及應力測試儀對沉積氮化硅的硅晶圓進(jìn)行后置應力測試，獲取第一后置應力值。本方案省去多道傳統檢測工藝步驟，簡(jiǎn)化測機工藝流程，縮短了檢測周期，減少測機片的使用，提高檢測效率。