本發明公開了一種紫外探測器制備方法及紫外探測器,其中,制備方法包括在預設襯底上依次生長成核層、緩沖層、犧牲層和目標層;通過旋涂光刻技術對所述目標層進行光刻,得到感光陣列;將所述感光陣列與背部電極進行原位鍵合,并通過對所述犧牲層進行電化學腐蝕,制備得到目標紫外探測器。本發明實施例能夠通過將原位鍵合與電化學剝離技術相結合,將氮化物外延陣列結構從預設襯底上進行大面積的剝離,降低了面陣探測芯片集成的成本和難度,可廣泛應用于微電子技術領域。
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