本發明屬于高壓輸變電設備的安全檢測領域,具體涉及一種Ga2O3薄膜基日盲紫外探測器、制備方法及應用,所述制備方法包括以(0001)面Al2O3為襯底,以三甲基鎵為鎵源,等離子增強化學氣相沉積法在(0001)面Al2O3襯底上生長一層β?Ga2O3膜層,在β?Ga2O3膜層上方磁控濺射形成Au/Ti叉指電極。本發明的Ga2O3基的電暈檢測裝置具有響應速度快、分辨率高、作用距離遠、不受太陽光的干擾、可準確定位等優點,特別合適用于高壓變電系統、高壓輸電線路等各種惡劣環境下的應用。對架空輸電線路和變電設備產生的電暈進行探測具有極大的商業價值。
聲明:
“Ga2O3薄膜基日盲紫外探測器、制備方法及應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)