本發明公開了一種用掃描電化學顯微鏡研究氨基功能化二氧化硅納米通道選擇滲透性的方法,該方法包括,將SiO2納米腔陣列電極浸泡在3?氨丙基三甲氧基硅烷的丙酮溶液中,靜置,清洗,烘干,得到NH2?SiO2/ITO電極;掃描電化學顯微鏡采用四電極體系,SECM探針為工作電極1,NH2?SiO2/ITO電極為工作電極2,在樣品溶液中將工作電極1向工作電極2移動,得到電流隨距離變化的漸近曲線;再由漸近曲線得出樣品的在氨基功能化的二氧化硅納米通道中的擴散速率常數。采用本發明的方法可以測定樣品在不同條件下在氨基功能化的二氧化硅納米通道的滲透性,對認識離子或分子選擇滲透機理具有重要意義。
聲明:
“用掃描電化學顯微鏡研究氨基功能化二氧化硅納米通道選擇滲透性的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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