本發明涉及晶體應力處理技術領域,尤其是一種消除晶體切割應力的化學腐蝕工藝,第一步,配置腐蝕溶液:將硫酸、硝酸、鹽酸和水按照200:200:3:1000質量比配置,并加熱到80?100攝氏度;第二步,化學腐蝕,將晶體置入所述第一步配置的腐蝕溶液內,時間控制在1?40小時;第三步,兩道清水清洗:用清水洗去晶體表面的腐蝕溶液;第四步,去離子水清洗:將晶體在去離子水內浸泡3?5分鐘,清洗1?2分鐘;第五步,消光比測試儀測試:將所述第四步清洗后的晶體通過消光比測試儀進行測試。本發明通過市場上常見的三酸,通過優化配比形成腐蝕溶液,將晶體材料放置到配置好的腐蝕溶液內腐蝕即可完成對晶體的消除應力操作,本工藝操作簡單,化學原料易于取得,適合大晶體制造企業內廣泛推廣使用。
聲明:
“消除晶體切割應力的化學腐蝕工藝” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)