本發明提供了一種非晶單質硒薄膜的電化學制備方法,其特征在于:以亞硒酸(H2SeO3)為硒源,與檸檬酸水溶液形成含硒電化學沉積液;以導電玻璃為薄膜沉積基底,在上述電化學沉積液中利用電化學方法(恒電位技術),沉積電位變動范圍為-0.5V~-0.8V(相對于飽和甘汞電極),沉積時間為100~14400s,沉積制備好的非晶單質硒薄膜在去離子水中浸泡數分鐘,除去表面的溶液離子,在室溫下進行干燥,即可獲得非晶單質硒薄膜。本發明方法設備簡單、操作方便、所制薄膜均勻、厚度可控,有利于實驗的后續相關材料的測試及表征。本發明主要應用于非晶單質硒薄膜的制備。
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