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化學機械研磨方法

1061   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
2023-03-19 06:57:23
本發明涉及半導體生產和加工領域,更具體地說,涉及一種化學機械研磨方法。本發明提供了一種化學機械研磨方法,用于去除晶圓表面的金屬膜,包括步驟:施加第一下壓力,將晶圓表面的銅膜由初始厚度拋光至1000~2500;施加第二下壓力,拋光所述晶圓5~10s;施加第三下壓力,并采用光學終點檢測法將剩余的銅膜拋光至50~100;其中,光學終點檢測法監測晶圓表面的光學參數,當光學參數出現拐點時,即刻停止對晶圓拋光,結束化學機械研磨工藝。采用本發明提供的技術方案,能夠在晶圓表面留存極薄厚度的銅膜,為后續無應力拋光工藝留下了操作空間。
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