本發明涉及半導體生產和加工領域,更具體地說,涉及一種化學機械研磨方法。本發明提供了一種化學機械研磨方法,用于去除晶圓表面的金屬膜,包括步驟:施加第一下壓力,將晶圓表面的銅膜由初始厚度拋光至1000~2500;施加第二下壓力,拋光所述晶圓5~10s;施加第三下壓力,并采用光學終點檢測法將剩余的銅膜拋光至50~100;其中,光學終點檢測法監測晶圓表面的光學參數,當光學參數出現拐點時,即刻停止對晶圓拋光,結束化學機械研磨工藝。采用本發明提供的技術方案,能夠在晶圓表面留存極薄厚度的銅膜,為后續無應力拋光工藝留下了操作空間。
聲明:
“化學機械研磨方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)