一種自組裝形成尺寸可控的硅納米晶薄膜的制備方法

本發(fā)明涉及一種自組裝形成尺寸可控的硅納米晶薄膜的制備方法，主要步驟如下：首先，鍍膜前預處理后利用Ar離子對Si靶和C靶進(jìn)行磁控共濺射，調整Si和C靶的濺射功率，在硅和玻璃基體上交替沉積多層結構的非晶硅/碳薄膜；然后，在氮氣氣氛中分階段退火，形成α-SiC/nc-Si多層結構薄膜。此類(lèi)薄膜形成的硅納米晶尺寸在2-10nm范圍內可控，同時(shí)硅納米晶的密度亦可控，此尺寸范圍的硅納米晶的光學(xué)帶隙在2.7-1.8eV范圍內可控改變。本發(fā)明超晶格結構Si/C多層薄膜形成尺寸和密度可控的硅納米晶，進(jìn)而調整其吸收光譜范圍，并顯著(zhù)提高所用材料光電轉換效率。此類(lèi)薄膜有望大幅提高硅基光伏器件的光吸收范圍和光電轉換效率。