本發明公開基于鐵電調控二維鈣鈦礦光電探測器及其制備方法。制備流程為在超聲清潔后SiO2襯底上,采用光刻或掩模版蒸鍍的方法制作柵電極,然后在此之上使用旋涂的方法制備聚偏氟乙烯?三氟乙烯共聚物(P(VDF?TrFE))有機鐵電聚合物薄膜,經過退火處理,去除界面殘留溶劑及保證薄膜具有良好結晶特性。在此之上,使用掩模版蒸鍍源漏電極,最后在氮氣環境下使用旋涂的方法,旋涂(PEA)2SnI4前驅體溶液,再經過退火使溶液揮發促進結晶制備完成(PEA)2SnI4光電場效應管器件。該器件對可見光光譜范圍有較好響應,響應率為14.57A/W,探測率高達1.74x1012Jones。響應時間上升沿50ms,下降沿1.5s。
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