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制備太陽能級多晶硅的方法

788   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
2023-03-18 14:32:39
本發明涉及制備太陽能級多晶硅的方法,包括:在礦熱爐出硅過程中,向抬包底部持續通入氧化性氣體;出硅完成后,將預熔造渣劑倒入抬包中精煉;將氧化性氣體采用等離子發生器電離后注入硅液中;待反應完后,將得到的硅液注入保溫裝置中凝固,待硅錠冷卻后,打磨硅錠四周及底面潔凈;將硅錠破碎、磨粉,采用混合酸進行酸洗,清洗,烘干;將酸洗后硅粉放入中頻爐石墨坩堝中加熱熔化成硅液,保溫;于硅液的表面放置石墨板,石墨板與直流電壓的負極相接,石墨坩堝底部與直流電壓的正極相接,施加直流電壓;通電2~4h后,在通電狀態下,石墨坩堝緩慢下降,離開加熱區,進行定向凝固,冷卻后取出硅錠,切除上層和尾部的雜質區,即得提純后6N多晶硅。
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