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高剛性定梁龍門雕銑機機體為高牌號樹脂砂鑄件，并經人工時效處理消除內應力，有效防止機床的變形，整機重量高達5噸!主要部件均采用進口零部件，除了有很高的金屬材料加工精度外，還有較強的開粗能力!
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小型龍門加工中心：本系列機臺提供不同于傳統立式加工中心的*性能，符合人體工學可輕松裝卸加工件，優良的人機親近界面更方便加工者進行設定。3，切削清除容易：雙螺旋除屑系統加鏈鈑式輸送結構，可*有效徘除這些金屬線材的切屑，大大減少人工滴理時間。4，占地面積?。罕鞠盗兴鶕碛须p立柱，有效節約占地空間。5，結構剛性*;本系列小型龍門加工中心機**軸中心非?？拷鼨M梁位置，懸臂效應小，有看*的結構剛性。
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射頻發生器 射頻電源是一種高性能射頻發生器，其采用最新LDMOS技術，功率范圍從100W到10kW，頻率覆蓋2MHz到100MHz，具備頻率調諧、脈沖等功能，且配備靈活用戶界面和高級功能。它適用于半導體、工業鍍膜等領域，能在極端動態負載下可靠工作。產品還提供廣泛的功率和頻率配置，集成先進組件，支持高穩定射頻輸出、電弧管理等特性，易于集成和控制。其應用廣泛，包括PECVD、PVD、刻蝕設備等，且在多個知名科研機構和項目中得到應用，如布魯克海文國家實驗室、勞倫斯伯克利國家實驗室等。
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熱舟蒸發源是一種用于實現輕薄薄膜金屬沉積的設備，特別適用于薄層沉積、光學涂覆、混合層沉積和金屬電極接觸等應用。該設備由高質量、高真空兼容材料制成，能夠在超高真空環境下加熱至250℃，確保沉積過程的穩定性和純度。熱舟蒸發源支持手動或馬達驅動擋板，最大工作電流可達100A，可根據客戶需求定制，滿足多樣化的薄膜制備需求。
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在MEMS制造中，構建三維結構或封裝通常需要兩個單芯片的精確對準和鍵合。使用芯片到芯片鍵合器（CCB），可以手動對齊兩個芯片。然后可以使芯片接觸，以進行陽極鍵合或各種膠合過程。單芯片對準級包括三個線性軸和三個旋轉軸，為大多數對準應用提供了足夠的自由度。下芯片夾在基板上，上芯片由針固定。兩個真空保持器都可以單獨調節和切換。為了執行陽極鍵合過程，提供了加熱板和高壓源。在控制器單元上調節鍵合電壓，該控制器單元監測電壓和鍵合電流。加熱板的溫度也在控制器單元上進行調節。
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等離子體增強化學氣相沉積系統（PECVD）是一種用于薄膜半導體材料制備的高性能設備，能夠在較低溫度下借助等離子體的高活性促進化學反應，沉積出高質量的薄膜。該系統可沉積SiO?、Si?N?、類金剛石薄膜、硬質薄膜和光學薄膜等，最大沉積尺寸達12英寸。系統配備射頻淋浴源、空心陰極高密度等離子體源、感應耦合等離子體源或微波等離子體源，支持最高800°C的加熱溫度，均勻性優于±3%，并具備預抽真空室和自動晶片裝卸功能，實現全自動控制。
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等離子體增強原子層沉積（Plasma Enhance Atomic Layer Deposition，PEALD），也稱為原子層外延（Atomic Layer Epitaxy，ALE），或原子層化學氣相沉積（Atomic Layer Chemical Vapor Deposition，ALCVD）。原子層沉積是在一個加熱反應的襯底上連續引入至少兩種氣相前驅體源，化學吸附至表面飽和時自動終止，適當的過程溫度阻礙了分子在表面的物理吸附。一個基本的原子層沉積循環包括四個步驟：脈沖A，清洗A，脈沖B和清洗B。沉積循環不斷重復直至獲得所需的薄膜厚度，是制作納米結構從而形成納米器件極佳的工具。
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這款美國制造的多功能鍍膜系統專為研究所和研發部門設計，具備小容量、快速重復工作流程的特點，活性沉積區域最大直徑可達200mm（8英寸），適應多種襯底。系統可配備最多4個濺射源，支持連續沉積和聯合沉積模式，具備不同工作氣體控制功能。其磁控濺射源直徑有50mm、75mm和100mm可選，內置陰極角傾斜和擋板設計，配備直流、脈沖、高頻（HF或MF）電源，襯底可加熱、冷卻或加載RF/DC偏壓，還可添加預抽室，具有超高性價比，占用空間小，能夠滿足客戶對真空薄膜沉積的高性能要求。
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反應離子刻蝕系統（RIE）及深反應離子刻蝕系統（DRIE）是專為薄膜半導體材料制備和微納加工設計的高性能設備。RIE通過高頻電壓產生離子層，利用離子撞擊完成化學反應蝕刻，適用于高精度、高垂直度的刻蝕需求。DRIE系列則配備低溫晶片冷卻、偏置壓盤和2kW ICP源，能夠在10?3 Torr壓力下高效運行，支持深硅刻蝕等復雜工藝。系統具備鋁制或不銹鋼腔體、射頻源、高真空度、雙刻蝕容量、氣動升降蓋、手動/全自動裝卸樣品等功能，還可選配高密度等離子源、ICP源、低溫冷卻、終點探測等模塊。
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電子束蒸發鍍膜系統（E-Beam Evaporator System）是由美國專業制造商生產的高性能薄膜制備設備，適用于薄膜半導體材料的制備。該系統具備電子束蒸發、熱阻蒸發、離子束輔助蒸發鍍膜（IBAD）和瀉流源等多種功能模式。其技術參數包括304不銹鋼圓柱形腔體（標準直徑18英寸和24英寸）、分子泵或冷凝泵真空系統、手動或自動傳片的Load Lock（適合200mm以下樣品）、PC/PLC自動控制界面、QCM和光學膜厚監控、RGA殘余氣體分析、多種襯底夾具（單片、多片、行星式）以及可加熱、冷卻、偏壓和旋轉的襯底支架。
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我們提供了一套完整的MOCVD，主要產品包括臺式研發型、中試型和生產型。其反應器的設計可以根據工藝的需要很容易提升到滿足大直徑晶片生產的需要。我們也能為客戶設計以滿足客戶特殊工藝和應用的需要。系統部件包括：反應器、氣體傳輸系統、電氣控制系統和尾氣處理系統.
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超高真空多腔室物理氣相沉積系統（PVD）是一款專為薄膜半導體材料制備設計的高端設備。它由全球領先的沉積設備制造商生產，具備多種沉積方式，包括磁控濺射、電子束蒸發和熱蒸發，且預留了多種功能接口，高度靈活，非常適合科研用途。該系統在機械泵和分子泵的配合下，極限真空可達5×10?1? Torr（經過24小時烘烤冷卻后），鍍膜均勻度小于3%。它支持多種樣品尺寸（1”至12”），配備石英晶體微天平和橢偏儀進行膜厚監控，樣品臺可旋轉、加熱并加載偏壓。
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PVD公司生產的超高真空磁控濺射系統是一款專為薄膜半導體材料制備設計的高性能設備，支持最大300mm襯底，具備RF、DC和脈沖DC等多種濺射技術，靶材尺寸從1英寸到8英寸可選。系統配備可加熱至850°C的襯底支架、高真空腔體（304不銹鋼材質）、分子泵或冷凝泵真空系統，以及QCM膜厚監控和RGA殘余氣體分析等原位監控功能。此外，還可根據客戶需求擴展RHEED、橢偏儀等功能，廣泛適用于半導體薄膜的研發與生產。
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納米顆粒和薄膜的模塊化PVD系統 是一種多功能的 PVD 系統，能夠生成納米顆粒和薄膜，非常適合工業和學術研究。NL-FLEX 能夠容納任何類型的基材，包括卷對卷、非平面和粉末涂料。服務于廣泛的應用，包括催化、光子學、儲能、傳感器和生命科學。這種模塊化 PVD 沉積系統可以與分析工具集成，為您的研究需求提供完全定制的解決方案。
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納米顆粒和薄膜UHV沉積系統是一種超高真空 PVD 系統，能夠產生納米顆粒和薄膜，非常適合工業和學術研究。 服務于廣泛的應用，包括催化、光子學、儲能、傳感器和生命科學。該UHV 沉積系統可以與分析工具集成，為您的研究需求提供完全定制的解決方案。
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該系統是一種臺式真空系統，可將超純非團聚納米顆粒直接沉積到直徑達 50 毫米的任何表面上。專為共享研究或教學實驗室而設計，學生和研究人員可以在各種納米技術項目中并行使用，而不必擔心交叉污染。應用包括催化、光子學、儲能、傳感器和生命科學。
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這是一款美國原產的高性能脈沖激光沉積系統（PLD），用于制備高質量薄膜和研發新材料。系統通過高密度脈沖激光照射靶材，形成等離子體并沉積到對面的基板上，可獲得熱力學準穩定狀態的薄膜。設備配備6個1-2英寸靶位，可自動旋轉并由步進電機控制靶材選擇；基板采用2英寸鉑金加熱片，加熱溫度可達1200℃，溫差小于3%，可在氧氣環境中旋轉工作。成膜室和樣品搬運室均為SUS304材質，本底真空度分別小于5×10?? Pa和5×10?? Pa，配備分子泵和機械泵，以及超高真空閥門和真空計。
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PVD公司生產的脈沖激光沉積分子束外延系統（PLD MBE）憑借其優異性能，在國內外擁有眾多用戶，廣泛應用于薄膜外延制備。作為美國主要制造商，PVD專注于設計和制造超高真空薄膜沉積系統，涵蓋分子束外延、UHV濺射和脈沖激光沉積等領域。其產品主要面向小型研發系統，適用于多種材料的外延生長，如半導體材料、ZnO、GaN、SiGe、金屬/氧化物、磁性薄膜、超導薄膜、氧化物和陶瓷材料等。系統配置包括主腔室、樣品傳輸腔、1100度加熱系統、樣品旋轉、PLD靶材操控器及光路、K-cell熱蒸發源、電子束蒸發源和射頻RF離子源等。
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這是一款高性能的磁控濺射儀，適用于4英寸和6英寸襯底，具備4個靶位，靶材尺寸為3英寸，可濺射磁性材料。設備極限真空度低于6.6×10?? Pa，膜厚均勻性控制在±5%以內。靶與樣品距離可調，并可在30度內擺頭。配備load-lock系統，可放置5片6英寸樣品，電動馬達在高真空狀態下順序傳送并濺射樣品。樣品臺可加熱至750℃并支持旋轉，配備全自動真空控制模塊。氣路支持Ar、O?、N?，提供2個600W射頻電源和2個1000W直流電源，滿足多種薄膜制備需求。
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本焊接工作站專為新能源電池箱體焊接，動力電池下箱體焊接，動力電池托盤焊接，電動汽車電池托盤焊接而開發的焊接工作站。設備采供兩臺專用弧焊機器人，兩臺單軸旋轉變位機，兩臺CMT焊機組成。旋轉變為及安裝在兩個滑軌上。
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攪拌摩擦焊是一種固態連接工藝，可以實現鋁、鎂、銅等金屬材料高質量、高強度、低變形連接，能夠在較大的長度和厚度范圍內實現材料的對接和達接焊接。本型號設備采用靜龍門動工作臺結構，能夠滿足焊接時所需的設備剛性，動力足，設備穩定。
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