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LFT1700C系列高溫真空管式爐如圖所示，集控制系統與爐膛為一體。爐襯使用1800型真空成型高純氧化鋁聚輕材料，加熱元件為優質硅鉬棒。高純氧化鋁管橫穿于爐體中間作為爐膛，爐管兩端用不銹鋼法蘭密封，工件式樣在管中加熱，加熱元件均勻分布于爐管兩側，有效的保證了溫場的均勻性。測溫采用適用于高溫環境的“B"型熱電偶，直接和式樣接觸，以提高控溫的精確性。它是專為高等院校﹑科研院所及工礦企業對金屬，非金屬及其它化和物材料在氣氛或真空狀態下進行高溫燒結﹑融化﹑分析而研制的專用設備。
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1200系列八溫區真空管式爐LFT1200C2400D200VIII設備主要適用于中小批量材料在高溫條件下熱處理，集控制系統與爐膛為一體，保溫材料使用高純氧化鋁纖維材料，內嵌式加熱式與保溫材料一體成型。爐管采用高純石英管，石英管和金屬法蘭之前采用橡膠擠壓密封，加熱絲均勻分布于爐管四周，確保良好的溫場均勻性。測溫采用性能穩定、長壽命(適于中高溫檢測)的“K"型熱電偶，以提高控溫的精確性。
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立式淬火爐 LFT1500C 50D30 OP，爐襯使用真空成型高純氧化鋁聚輕材料，采用硅碳棒為加熱元件。該設備設計為立式結構，樣品由吊絲固定,真空腔室上端配有電磁鐵固定吊絲,可在真空條件下完成淬火工作。其爐管為外徑Ф30mm的剛玉管，采用法蘭來密封。此設備設計是用于樣品高溫淬火。樣品高溫處理后，迅速墜落到冰水中或油中，來研究樣品在高溫狀態下的相變和結構。爐體的控制面板配有智能溫度調節儀，控制電源開關、電磁鐵旋鈕開關、主加熱工作/停止按鈕，工作狀態指示燈，以便隨時觀察本系統的工作狀態。
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煅燒爐，集控制系統與爐膛為一體。爐襯使用真空成型高純氧化鋁聚輕材料，加熱元件為優質硅碳棒。石英腔體橫穿于爐體中間作為爐管，爐管兩端用不銹鋼法蘭密封，工件式樣在腔體內加熱，加熱元件均勻分布于腔體下側，有效的保證了溫場的均勻性。測溫采用適用于高溫環境的“S"型熱電偶。煅燒爐能夠快速開啟，快速升降溫，方便客戶對特殊材料的裝載，燒制和觀察。爐體的控制面板配有智能溫度調節儀，控制電源開關、主加熱工作/停止按鈕，工作狀態指示燈，以便隨時觀察本系統的工作狀態。
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立式高溫淬火爐如圖所示，集控制系統與爐膛為一體。爐襯使用真空成型高純氧化鋁聚輕材料，采用電阻絲為加熱元件，用于催化劑焙燒，方便催化劑裝填和轉移。石英玻璃管橫穿于爐體中間作為爐膛，爐管上端用選用不銹鋼法蘭密封，下端可用根據用戶要求使用橡膠塞隔熱，配有不銹鋼雙層托架，可放置樣品。工件式樣在管中加熱，加熱元件與爐管平行，均勻地分布在爐管外，有效的保證了溫場的均勻性。測溫采用性能穩定、長壽命的“K”型熱電偶，直接和式樣接觸，以提高控溫的精確性。
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該石墨烯制備設備雙溫區滑軌式CVD系統系統由預熱爐、雙溫區滑軌爐、質子流量控制系統、真空系統三部分組成。CVD(化學氣象沉積系統)常用于表面材料生長、沉積，是一款實驗室常用設備。
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碳納米膜制備設備，由氣體質量流量計控制系統、液體注液系統、多段溫度可控多區生長系統、水冷卻系統、碳納米線或膜收集系統，紅外烘干系統等組成。生長爐的最高溫度1400℃，并可在0-1400℃之間連續可調，垂直式分布熱場，三點控溫(三段長度平均分配)，設備頂部設有注液口、導流器。爐體采用雙層殼體結構并帶有風冷系統，保溫材料為加厚型，殼體表面溫度小于60℃。采用高純氧化鋁管作為爐膛材料，加熱元件為優質硅碳棒。本款碳納米管或膜CVD設備可以實現連續生長不間斷的特點。
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滑軌式快速升降溫爐是專為生長薄膜石墨烯研制的，也同樣適用于要求升降溫速度比較快的CVD實驗，操作時可將實驗需要的恒定高溫直接推到樣品處，使樣品能得到一個快速的升溫速度，同樣也可將高溫的管式爐直接推離樣品處，使樣品直接暴露在室溫環境下，得到快速的降溫速率。
2025年09月12日 ~ 14日 
2025年08月18日 ~ 20日 
2025年08月15日 ~ 17日 
2025年08月10日 ~ 12日 
2025年08月01日 ~ 03日 
