該發明涉及一種半導體器件的形成方法,包括以下步驟:提供一襯底;在所述襯底內部形成電接觸點;在所述襯底上表面形成著陸焊盤,且所述著陸焊盤與所述電接觸點接觸;在所述著陸焊盤和所述電接觸點外露的表面形成阻擋層;在對形成了阻擋層的半導體器件進行電性測試之后,去除所述著陸焊盤上表面的阻擋層。本發明的一種半導體器件及半導體器件的形成方法,能夠有效防止電接觸點和電接觸點之間短路而造成半導體器件失效的現象的發生,提升半導體器件的生產良率。
聲明:
“半導體器件及半導體器件的形成方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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