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溝渠雙擴散金屬氧化半導體制作方法及裝置

1244   編輯:管理員   來源:中冶有色網  
2023-03-19 09:37:11
一種溝渠雙擴散金屬氧化半導體制作方法及裝置,包括如下步驟:摻雜;注膠和研磨;刻蝕;清洗;熱處理;濺射。經過在背面的處理工藝,采用熱處理過程后,通過對晶圓片探測數據,有效的改善溝渠雙擴散金屬氧化半導體沒有出現源漏(源極和漏極)軟擊穿失效的情況。同時相對應所采取的裝置是通過現有的高溫爐就可以實現,不需要特別的購買新設備或專門的設備,因此節省了成本,提高了經濟效益。
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