薄膜封裝Test key的制作方法和檢測方法

本發(fā)明公開(kāi)了一種薄膜封裝Test key的制作方法和檢測方法，S1：在玻璃基板上制備TFT驅動(dòng)器，在制備TFT驅動(dòng)器時(shí)，玻璃基板邊緣中的襯底層與TFT驅動(dòng)器中的SiNx層在同一層，即在制備TFT驅動(dòng)器時(shí)，沉積在玻璃基板邊緣的SiNx層形成襯底層，再在TFT驅動(dòng)器制備像素定義層，像素定義層經(jīng)過(guò)曝光顯影蝕刻脫膜形成圖案，然后再在像素定義層的開(kāi)口處濺射一層陽(yáng)極；S2：在步驟S1的基礎上制備OLED發(fā)光器件，然后再在OLED發(fā)光器件上制備陰極，其中陰極包含Mg陰極和Ag陰極；S3：在步驟S2的基礎之上沉積薄膜封裝層。本發(fā)明可以高效和快速地檢測出薄膜封裝的OLED顯示器是否失效，以及水氧侵蝕的程度，為后續維修和使用提供一個(gè)方向，并且在器件的開(kāi)發(fā)方面具有重要意義。