本發明公開了一種非破壞性功率MOS管單粒子燒毀效應檢測電路及方法,電路包括柵極偏置電路、漏極偏置電路和信號采集電路,方法包括對功率MOS管施加一定的偏置,在重離子輻照的情況下檢測MOS管的源極電流,通過電流變化曲線來判斷MOS管單粒子燒毀(SEB,single-event?burnout)現象是否發生。本檢測方法根據MOS管器件性能參數,設置器件的源極和漏極限流電阻和充放電電容,來保證SEB現象發生時的源極電流在可被檢測的范圍內,同時又確保器件未被燒毀而造成MOS管的破壞性失效。本發明方法簡單,可以檢測一只MOS管SEB效應的多次發生,同時又具有非破壞性的特點。
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