本發明提供一種失效分析去層方法,截取樣品并將其放入激光切割機,確定樣品的失效分析區域和目標位置;目標位置所在失效分析層為Mx;利用激光切割機制作環繞目標位置的多個溝槽;溝槽底部位于金屬層Mx+2層上或其以下深度的位置;環繞目標位置的多個溝槽相鄰彼此相互貫通,溝槽環繞目標位置的失效分析區域相對于樣品其他區域被劃分為基于失效分析的獨立區域;將樣品置于拋光機上,針對被溝槽環繞的失效分析區域進行去層研磨并利用光學顯微鏡觀察研磨位置,研磨至去除失效分析層Mx以上金屬層,并將失效分析上Mx中的目標位置暴露為止。本發明的失效分析去層方法在保證芯片去層精確性、有效性的同時縮短磨樣時間,增強效率。
聲明:
“失效分析去層方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)