本發明提供一種半導體器件失效分析樣品及其制備方法、失效分析方法,通過在載體上開設一個與半導體器件樣品相符的承載槽以及開設至少一個連通承載槽的導流溝槽,并在所開的承載槽中放置導電粘合劑,加熱或者紫外光照射載體使導電粘合劑熔融,最后將半導體器件樣品放置在承載槽中,輕壓半導體器件樣品使之與承載槽側壁的臺階表面齊平,這樣就避免了導電粘合劑對樣品表面的污染,更重要的是在研磨去層時避免了樣品表面不均勻研磨現象的出現。
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