本發明提供了一種SOI晶圓質量檢測方法及系統,檢測方法包括如下步驟:提供SOI晶圓,SOI晶圓包括襯底層、埋氧層和半導體層;放置第一壓力探針和第二壓力探針;將第一壓力探針接地,對第二壓力探針施加恒定的第一電壓,對襯底層施加變化的第二電壓;根據不同第二電壓及所對應的第一電流數據提取測試表面遷移率,并與理論表面遷移率進行比對,以評估SOI晶圓的質量。本發明針對SOI晶圓質量的快速評估需求,通過對測試結構進行電流電壓測試,提取表面遷移率,與理論值進行比對,揭示了能夠表征SOI晶圓質量的電學特性,實現了對SOI晶圓質量的無損評估,對于太陽能電池SOI晶圓的工藝開發具有重要意義。
聲明:
“SOI晶圓質量檢測方法及系統” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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