本發明屬于標記中子束無損檢測技術領域,具體涉及一種用于標記中子束無損檢測的移動式D?T中子發生器,包括通過加速管(6)連接的高頻離子源系統(5)和真空系統及測量單元(7),設置在真空系統及測量單元(7)上的關聯束靶系統(8),由高頻離子源系統(5)產生并引出的D+離子束通過加速管(6)加速后轟擊關聯束靶系統(8)中的氚靶(68),通過D?T反應產生14MeV的中子,關聯束靶系統(8)同時對中子的產生時間和位置的測量,實現對中子的出射時間和方向的標定;還包括控制高頻離子源系統(5)和加速管(6)的控制系統。本發明是可適用于關聯束中子照相應用的便攜式D?T中子發生器。
聲明:
“用于標記中子束無損檢測的移動式D-T中子發生器” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發明人(作者)