本發明涉及一種外延層厚度無損檢測方法,包括:獲得外延層的摻雜濃度;獲得反向偏置電壓值V:使用探針與外延層接觸,形成肖特基結,并對肖特基結施加逐步增大的反向偏置電壓,記錄下電流出現明顯變化時的反向偏置電壓值V;根據公式進行計算,得到d值即為外延層厚度。本發明所述外延層厚度無損檢測方法,對于厚度在5微米以下的外延層,厚度檢測精度為0.01微米,且最小的檢測厚度為0.1微米,極大促進了外延層檢測技術的拓展和準確性,具有高精度、無損檢測的優勢。
聲明:
“半導體摻雜層厚度無損檢測方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業用途,請聯系該技術所有人。
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