基于導電基底直接生長(cháng)氮摻雜碳?鈷復合物微片陣列的超級電容器負極

本實(shí)用新型公開(kāi)了一種基于導電基底直接生長(cháng)氮摻雜碳?鈷復合物微片陣列的超級電容器負極，所述負極包括導電基底、N摻雜碳微片，所述導電基底呈多孔狀，所述N摻雜碳微片呈葉片狀并陣列垂直分布于導電基底上，所述N摻雜碳微片包含均勻分布的Co納米粒子。發(fā)明公開(kāi)的負極結構氮摻雜碳?鈷復合物微片陣列直接生長(cháng)在導電基底上，其具有很高的電子遷移率，有利于實(shí)現快速充放電，將所述負極進(jìn)行電化學(xué)性質(zhì)測試，在不同的掃速下，所述電極的循環(huán)伏安均顯示相似的矩形形狀，不同的電流密度下充放電曲線(xiàn)均顯示線(xiàn)性特點(diǎn)，其表現了碳材料雙電層特征。在增大電流密度時(shí)，所述電極的質(zhì)量比容量變化較小，表明其作為超電容器負極有較好的倍率特性。